Температурная зависимость электропроводности

Температурная зависимость электропроводности


Учет зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры в полупроводнике позволяет обрисовать электропроводность по областям I, II и III (см. рис.2.5, 2.6) последующими соотношениями ( возьмем д полупроводник n-типа).

1. Область примесной проводимости:

=enn(T)-m(T)~ . (1.2.30)

2. Область истощения примеси:

=e m(T)~ . (1.2.31)

3. Область своей проводимости:

=e ~

~ . (1.2.32)

Соотношения (1.2.30) – (1.2.32) для полупроводника p-типа - подобны. Значение величины m определяется механизми рассеяния.

Рис. 2.6 Температурная зависимость электропроводности ( n - тип)

Отметим некие соответствующие особенности зависимости ln(s)=f(1/T)(см. рис. 2.6). В области истощения примеси температурная зависимость электропроводности определяется зависимостью подвижности от температуры. В областях примесной и своей ионизации зависимость s(T) в главном определяется температурной зависимостью концентрации носителей.



Анализ выражений (1.2.30) - (1.2.32) указывает, что если пренебречь слабенькой степенной зависимостью предэкспоненциальных множителей от температуры, то в координатах ln(s)=f(1/T) это будут прямые полосы с тангенсом угла наклона и , соответственно. Таким макаром, экспериментальная зависимость ln(s)=f(1/T) позволяет найти энергию ионизации примеси DWd и ширину нелегальной зоны Wg по углам наклона прямых в областях примесной и своей ионизации.




Возможно Вам будут интересны работы похожие на: Температурная зависимость электропроводности:


Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Похожый реферат

Cпециально для Вас подготовлен образовательный документ: Температурная зависимость электропроводности